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其他化合物半导体 InAs

可用于制作波长2——12μm的红外发光器件及中红外量子级联激光器。这些红外器件在气体检测、低损耗光纤通信领域有良好的应用前景。

其他化合物半导体 InP

具有电子极限漂移速度高、耐辐射性好、导热好的优点。适用于制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路。

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